LeoMonteCrystal

        Численное моделирование основано на внедрении модифицированной модели клеточного автомата в Монте-Карло. Имитированная поверхность кристалла представлена ​​двумерной матрицей, где значение и положение элементов определяют трехмерное расположение молекулы на поверхности кристалла.
Относительные вероятности принятия или испускания молекулы рассчитываются на основе модели термически активированной реакции в зависимости от близкого окружения каждой молекулы на поверхности, что позволяет прямое введение поверхностной энергии в модель роста кристалла.
Модель также позволяет рассчитать концентрационные дефекты типа отверстия, образованные в результате закупоривания структур шеи бутылки на шероховатой поверхности.
Параметры одиночного эксперимента могут быть введены в панель данных с гибким выбором использования избранных единиц измерения.

LeoMonteCrystal предоставляет возможности преобразователя блоков, позволяя использовать начальные параметры, определенные в различных системных системах, как подходит пользователю.
Панель ввода данных мгновенно отображает теоретические значения для роста кристалла скорости, рассчитанные для конкурентных теоретических моделей, а также наиболее ценные - с формулами, найденными в результате наших исследований для данного набора исходных параметров.
Температурная зависимость скорости роста, шероховатости поверхности и концентрации дефектов, рассчитанная по нашим формулам, отображается на отдельной диаграмме.
После изменения каких-либо параметров все зависимые переменные автоматически обновляются соответственно, обеспечивая функциональность термодинамического и кристаллографического калькулятора.
Часто используемый набор параметров, соответствующий интересующему составу, может быть сохранен или импортирован в или из файла с разделителями комы (совместим с MS Excel).
На панели «Результаты» во время симуляции отображаются графики, показывающие временную шкалу: расстояние от роста поверхности кристалла, его шероховатость, мгновенный темп роста и концентрация дырок, подобных дефектам.
    

Что нового в этой версии:

Версия 1.1: Температурная зависимость скорости роста, шероховатости поверхности и концентрации дефектов, рассчитанная нашими собственными формулами состояния искусства, отображается на отдельной диаграмме.